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BSR12,215

BSR12,215

僅供參考

型號 BSR12,215
PNEDA編號 BSR12-215
描述 TRANS PNP 15V 0.1A SOT-23
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 2,538
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 10 - 五月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSR12資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSR12,215
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BSR12, BSR12數據表 (總頁數: 12, 大小: 61.67 KB)
PDFBSR12數據表 封面
BSR12數據表 頁面 2 BSR12數據表 頁面 3 BSR12數據表 頁面 4 BSR12數據表 頁面 5 BSR12數據表 頁面 6 BSR12數據表 頁面 7 BSR12數據表 頁面 8 BSR12數據表 頁面 9 BSR12數據表 頁面 10 BSR12數據表 頁面 11

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BSR12規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)15V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic450mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)50nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 50mA, 1V
功率-最大250mW
頻率-過渡1.5GHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝TO-236AB (SOT23)

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40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 2V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 30mA, 10V

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晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 40mA, 10A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 5A, 4V

功率-最大

125W

頻率-過渡

-

工作溫度

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 20mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

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