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BSM15GD120DLCE3224BOSA1

BSM15GD120DLCE3224BOSA1

僅供參考

型號 BSM15GD120DLCE3224BOSA1
PNEDA編號 BSM15GD120DLCE3224BOSA1
描述 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,472
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 31 - 六月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSM15GD120DLCE3224BOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSM15GD120DLCE3224BOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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BSM15GD120DLCE3224BOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)35A
功率-最大145W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.6V @ 15V, 15A
當前-集電極截止(最大值)76µA
輸入電容(Cies)@ Vce1nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 125°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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200µA

輸入電容(Cies)@ Vce

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輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 40A

當前-集電極截止(最大值)

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輸入電容(Cies)@ Vce

2.72nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

功率-最大

250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 40A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 400A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

26nF @ 25V

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