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BSM10GD120DN2BOSA1

BSM10GD120DN2BOSA1

僅供參考

型號 BSM10GD120DN2BOSA1
PNEDA編號 BSM10GD120DN2BOSA1
描述 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,418
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSM10GD120DN2BOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSM10GD120DN2BOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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BSM10GD120DN2BOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列*
IGBT類型-
配置-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
功率-最大-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
輸入電容(Cies)@ Vce-
輸入-
NTC熱敏電阻-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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功率-最大

250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

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供應商設備包裝

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APTGLQ75H65T1G

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IGBT類型

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.62nF @ 25V

輸入

Standard

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制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

2 Independent

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

320A

功率-最大

1050W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 225A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

13nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

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制造商

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系列

*

IGBT類型

-

配置

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

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輸入

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

500A

功率-最大

1250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 400A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

24nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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