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BR93G86FVT-3GE2

BR93G86FVT-3GE2

僅供參考

型號 BR93G86FVT-3GE2
PNEDA編號 BR93G86FVT-3GE2
描述 IC EEPROM 16K SPI 3MHZ 8TSSOP
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,032
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 15 - 六月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BR93G86FVT-3GE2資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BR93G86FVT-3GE2
類別半導體內存IC內存
數據表
BR93G86FVT-3GE2, BR93G86FVT-3GE2數據表 (總頁數: 39, 大小: 3,083.95 KB)
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BR93G86FVT-3GE2規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小16Kb (2K x 8, 1K x 16)
內存接口SPI
時鐘頻率3MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP-B

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Microchip Technology

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

400ns

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8, 64 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

300µs, 5ms

訪問時間

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工作溫度

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