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BR25L020FVJ-WE2

BR25L020FVJ-WE2

僅供參考

型號 BR25L020FVJ-WE2
PNEDA編號 BR25L020FVJ-WE2
描述 IC EEPROM 2K SPI 5MHZ 8TSSOP
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,934
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 7 - 五月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BR25L020FVJ-WE2資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BR25L020FVJ-WE2
類別半導體內存IC內存
數據表
BR25L020FVJ-WE2, BR25L020FVJ-WE2數據表 (總頁數: 38, 大小: 1,386.34 KB)
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BR25L020FVJ-WE2規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小2Kb (256 x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率5MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電1.8V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP-J

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

14ns

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存格式

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內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

32Mb (4M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

60µs, 5ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.65V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

20ms

訪問時間

150ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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