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BR25A256FVT-3MGE2

BR25A256FVT-3MGE2

僅供參考

型號 BR25A256FVT-3MGE2
PNEDA編號 BR25A256FVT-3MGE2
描述 105°C OPERATION SPI BUS EEPR
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,410
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 4 - 六月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BR25A256FVT-3MGE2資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BR25A256FVT-3MGE2
類別半導體內存IC內存
數據表
BR25A256FVT-3MGE2, BR25A256FVT-3MGE2數據表 (總頁數: 31, 大小: 2,116.04 KB)
PDFBR25A256FVT-3MGE2數據表 封面
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BR25A256FVT-3MGE2規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小256Kb (32K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率10MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電2.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP-B

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR4

內存大小

12Gb (384M x 32)

內存接口

-

時鐘頻率

1866MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.1V

工作溫度

-30°C ~ 105°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Synchronous, SDR

內存大小

9Mb (256K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

512Mb (16M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

120ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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