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BLT50,115

BLT50,115

僅供參考

型號 BLT50,115
PNEDA編號 BLT50-115
描述 RF TRANS NPN 10V 470MHZ SOT223
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 6,750
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 18 - 七月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BLT50資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BLT50,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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BLT50規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)10V
頻率-過渡470MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大2W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce25 @ 300mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

增益

10dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 30mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-253-4, TO-253AA

供應商設備包裝

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

3.5dB @ 450MHz

增益

25dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-72-3 Metal Can

供應商設備包裝

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75102

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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晶體管類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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制造商

NXP USA Inc.

系列

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz

增益

-

功率-最大

400mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 40mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

120mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-253-4, TO-253AA

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2dB @ 2GHz

增益

-

功率-最大

90mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 20mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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