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BFU725F/N1,115

BFU725F/N1,115

僅供參考

型號 BFU725F/N1,115
PNEDA編號 BFU725F-N1-115
描述 RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4SO
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 92,274
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 2 - 五月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFU725F/N1資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFU725F/N1,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
BFU725F/N1, BFU725F/N1數據表 (總頁數: 12, 大小: 136.91 KB)
PDFBFU725F/N1數據表 封面
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BFU725F/N1規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)2.8V
頻率-過渡55GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
增益10dB ~ 24dB
功率-最大136mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce160 @ 10mA, 2V
當前-集電極(Ic)(最大值)40mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-343 Reverse Pinning
供應商設備包裝4-SO

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

5.6dB

功率-最大

1350W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5 @ 250mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

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功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 5mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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工作溫度

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