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BFU725F,115

BFU725F,115

僅供參考

型號 BFU725F,115
PNEDA編號 BFU725F-115
描述 RF TRANS NPN 2.8V 70GHZ 4DFP
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 7,164
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 15 - 五月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFU725F資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFU725F,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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BFU725F規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)2.8V
頻率-過渡70GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
增益10dB ~ 24dB
功率-最大136mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce300 @ 10mA, 2V
當前-集電極(Ic)(最大值)40mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-343F
供應商設備包裝4-DFP

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NXP USA Inc.

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

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5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

400mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 70mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-253-4, TO-253AA

供應商設備包裝

SOT-143B

SD1143-01

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

18V

頻率-過渡

175MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

10dB

功率-最大

20W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5 @ 250mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

工作溫度

200°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

M113

供應商設備包裝

M113

MPSH17RLRAG

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

800MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

6dB @ 200MHz

增益

24dB

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 5mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

BFR 360L3 E6327

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

9V

頻率-過渡

14GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz

增益

11.5dB ~ 16dB

功率-最大

210mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 15mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-101, SOT-883

供應商設備包裝

PG-TSLP-3-1

SD1332-05C

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

5.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

2.5dB @ 1GHz

增益

17dB

功率-最大

180W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 14mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

工作溫度

200°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

M150

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