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BFU630F,115

BFU630F,115

僅供參考

型號 BFU630F,115
PNEDA編號 BFU630F-115
描述 RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 43,860
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 2 - 五月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFU630F資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFU630F,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
BFU630F, BFU630F數據表 (總頁數: 12, 大小: 307.6 KB)
PDFBFU630F數據表 封面
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BFU630F規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)5.5V
頻率-過渡21GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
增益13dB ~ 22.5dB
功率-最大200mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce90 @ 5mA, 2V
當前-集電極(Ic)(最大值)30mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-343F
供應商設備包裝4-DFP

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頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz

增益

-

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 15mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

TO-236AB (SOT23)

BFR 182 B6663

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

12dB ~ 18dB

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 10mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz

增益

8dB ~ 17dB

功率-最大

500mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Central Semiconductor Corp

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

頻率-過渡

650MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 4mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

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Infineon Technologies

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

14GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz

增益

10dB ~ 14.5dB

功率-最大

210mW, 380mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 15mA, 3V / 60 @ 40mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA, 80mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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