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BFR193FH6327XTSA1

BFR193FH6327XTSA1

僅供參考

型號 BFR193FH6327XTSA1
PNEDA編號 BFR193FH6327XTSA1
描述 RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSFP-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 53,880
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 30 - 五月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFR193FH6327XTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFR193FH6327XTSA1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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BFR193FH6327XTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡8GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益12.5dB
功率-最大580mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 30mA, 8V
當前-集電極(Ic)(最大值)80mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-723
供應商設備包裝PG-TSFP-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

頻率-過渡

1.025GHz ~ 1.15GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

6.2dB

功率-最大

600W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

17.8A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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供應商設備包裝

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系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

6GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

2.7dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz

增益

-

功率-最大

700mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

45 @ 30mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

16V

頻率-過渡

470MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

12.5dB

功率-最大

3W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 100mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

工作溫度

-

安裝類型

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包裝/箱

-

供應商設備包裝

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

1.1GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 5mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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