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BFR 183T E6327

BFR 183T E6327

僅供參考

型號 BFR 183T E6327
PNEDA編號 BFR-183T-E6327
描述 RF TRANS NPN 12V 8GHZ SC75
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,448
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFR 183T E6327資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFR 183T E6327
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
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BFR 183T E6327規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡8GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.2dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益19.5dB
功率-最大250mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 15mA, 8V
當前-集電極(Ic)(最大值)65mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-75, SOT-416
供應商設備包裝PG-SC-75

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

-

功率-最大

500mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 40mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

120mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

TO-236AB (SOT23)

BFS 481 E6327

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz

增益

-

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

65 @ 15mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

25mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-323-3

制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

9GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

增益

13dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 25mA, 2V

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