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BFP 196R E6501

BFP 196R E6501

僅供參考

型號 BFP 196R E6501
PNEDA編號 BFP-196R-E6501
描述 RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT143-4
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,042
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 10 - 七月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFP 196R E6501資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFP 196R E6501
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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BFP 196R E6501規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡7.5GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益10.5dB ~ 16.5dB
功率-最大700mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 50mA, 8V
當前-集電極(Ic)(最大值)150mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-253-4, TO-253AA
供應商設備包裝PG-SOT143-4

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噪聲系數(dB Typ @ f)

6dB @ 200MHz

增益

24dB

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 5mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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1dB ~ 1.5dB @ 2GHz

增益

14dB ~ 16dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 3mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40mA

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

增益

13.5dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-253-4, TO-253AA

供應商設備包裝

SOT-143

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

5.8V

頻率-過渡

22GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz

增益

12.5dB ~ 26.5dB

功率-最大

230mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 20mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

5dB @ 200MHz

增益

15dB

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 3mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

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