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BFG410W,135

BFG410W,135

僅供參考

型號 BFG410W,135
PNEDA編號 BFG410W-135
描述 RF TRANS NPN 4.5V 22GHZ CMPAK-4
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 6,534
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 23 - 五月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFG410W資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFG410W,135
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
BFG410W, BFG410W數據表 (總頁數: 13, 大小: 371.54 KB)
PDFBFG410W數據表 封面
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BFG410W規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)4.5V
頻率-過渡22GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
增益21dB
功率-最大54mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 10mA, 2V
當前-集電極(Ic)(最大值)12mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-82A, SOT-343
供應商設備包裝CMPAK-4

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制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

5V

頻率-過渡

5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.8dB ~ 2dB @ 1GHz

增益

-

功率-最大

32mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 500µA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

6.5mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

SOT-323-3

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制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

頻率-過渡

2.3GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

8dB

功率-最大

5.6W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 100mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

55BT

供應商設備包裝

55BT

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

400mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 70mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-253-4, TO-253AA

供應商設備包裝

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BFR340FH6327XTSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

9V

頻率-過渡

14GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 2.4GHz

增益

13dB ~ 28dB

功率-最大

75mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 5mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-723

供應商設備包裝

PG-TSFP-3

2N5770_D26Z

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

6dB @ 60MHz

增益

15dB

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 8mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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