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BF959ZL1G

BF959ZL1G

僅供參考

型號 BF959ZL1G
PNEDA編號 BF959ZL1G
描述 RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,650
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 14 - 五月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BF959ZL1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BF959ZL1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
BF959ZL1G, BF959ZL1G數據表 (總頁數: 4, 大小: 53.13 KB)
PDFBF959ZL1G數據表 封面
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BF959ZL1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
頻率-過渡700MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)3dB @ 200MHz
增益-
功率-最大625mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 20mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

增益

24dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 30mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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噪聲系數(dB Typ @ f)

2.5dB ~ 5dB @ 500MHz

增益

20dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 25mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

供應商設備包裝

TO-72

MS2393

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制造商

Microsemi Corporation

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

頻率-過渡

1.025GHz ~ 1.15GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

8.2dB

功率-最大

583W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5 @ 300mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

11A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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制造商

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

600MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

增益

-

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 1mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

TO-92-3

KSC1674YBU

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

600MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

增益

-

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

TO-92-3

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