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BDV65BG

BDV65BG

僅供參考

型號 BDV65BG
PNEDA編號 BDV65BG
描述 TRANS NPN DARL 100V 10A TO247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,452
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BDV65BG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BDV65BG
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BDV65BG, BDV65BG數據表 (總頁數: 7, 大小: 112.27 KB)
PDFBDV65B數據表 封面
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BDV65BG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)10A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2V @ 20mA, 5A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 5A, 4V
功率-最大125W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 10mA, 1V

功率-最大

270mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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-

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

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晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 500µA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

4000 @ 500mA, 10V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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制造商

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系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 300mV

功率-最大

350mW

頻率-過渡

500MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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