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BDV65B-S

BDV65B-S

僅供參考

型號 BDV65B-S
PNEDA編號 BDV65B-S
描述 TRANS NPN DARL 100V 12A
制造商 Bourns
單價 請求報價
庫存 8,874
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BDV65B-S資源

品牌 Bourns
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BDV65B-S
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BDV65B-S, BDV65B-S數據表 (總頁數: 4, 大小: 103.75 KB)
PDFBDV65A-S數據表 封面
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BDV65B-S規格

制造商Bourns Inc.
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)12A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2V @ 20mA, 5A
當前-集電極截止(最大值)2mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 5A, 4V
功率-最大3.5W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-218-3
供應商設備包裝SOT-93

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45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

620mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 35mA, 700mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

75V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 500mA, 4V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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