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BDT61B-S

BDT61B-S

僅供參考

型號 BDT61B-S
PNEDA編號 BDT61B-S
描述 TRANS NPN DARL 100V 4A
制造商 Bourns
單價 請求報價
庫存 3,960
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 24 - 六月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BDT61B-S資源

品牌 Bourns
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BDT61B-S
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BDT61B-S, BDT61B-S數據表 (總頁數: 4, 大小: 84.78 KB)
PDFBDT61-S數據表 封面
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BDT61B-S規格

制造商Bourns Inc.
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2.5V @ 6mA, 1.5A
當前-集電極截止(最大值)500µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce750 @ 1.5A, 3V
功率-最大2W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

225mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

500V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 1.2A, 6A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 6A, 5V

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

550mV @ 1.25mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 2mA, 5V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 2mA, 10V

功率-最大

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 100mA, 1V

功率-最大

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