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BD679

BD679

僅供參考

型號 BD679
PNEDA編號 BD679_6B
描述 TRANS NPN DARL 80V 4A TO225
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,430
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BD679資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BD679
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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BD679規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)4A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2.5V @ 30mA, 1.5A
當前-集電極截止(最大值)500µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce750 @ 1.5A, 3V
功率-最大40W
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-225AA, TO-126-3
供應商設備包裝TO-225AA

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1.33A, 4A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

18 @ 700mA, 5V

功率-最大

110W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 1A, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

90MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-225AA, TO-126-3

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

350V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 40mA, 400mA

當前-集電極截止(最大值)

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