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BD535J

BD535J

僅供參考

型號 BD535J
PNEDA編號 BD535J
描述 TRANS NPN 60V 8A TO-220
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,500
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 2 - 七月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BD535J資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BD535J
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BD535J, BD535J數據表 (總頁數: 2, 大小: 91.3 KB)
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BD535J規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic800mV @ 200mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)100µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 2A, 2V
功率-最大50W
頻率-過渡12MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220-3

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ON Semiconductor

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NPN

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

5mA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1A, 10V

功率-最大

30W

頻率-過渡

20MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

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TO-220-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1.5mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 2A, 2V

功率-最大

2W

頻率-過渡

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 50mA, 10V

功率-最大

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當前-集電極截止(最大值)

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100 @ 10mA, 1V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

5µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 5V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

150°C (TJ)

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