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BCX71JLT1G

BCX71JLT1G

僅供參考

型號 BCX71JLT1G
PNEDA編號 BCX71JLT1G
描述 TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,426
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 12 - 五月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCX71JLT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCX71JLT1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BCX71JLT1G, BCX71JLT1G數據表 (總頁數: 6, 大小: 265.14 KB)
PDFBCX71JLT1G數據表 封面
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BCX71JLT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic550mV @ 1.25mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)20nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce250 @ 2mA, 5V
功率-最大350mW
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3 (TO-236)

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500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 100mA, 1V

功率-最大

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Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.3V @ 500µA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 500mA, 10V

功率-最大

1.25W

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

700V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1.25A, 5A

當前-集電極截止(最大值)

200µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5.5 @ 5A, 5V

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頻率-過渡

-

工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

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