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BCR35PNE6327BTSA1

BCR35PNE6327BTSA1

僅供參考

型號 BCR35PNE6327BTSA1
PNEDA編號 BCR35PNE6327BTSA1
描述 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,100
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCR35PNE6327BTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCR35PNE6327BTSA1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
BCR35PNE6327BTSA1, BCR35PNE6327BTSA1數據表 (總頁數: 7, 大小: 528.33 KB)
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BCR35PNE6327BTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10kOhms
電阻-發射極基(R2)47kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)-
頻率-過渡150MHz
功率-最大250mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-VSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝PG-SOT363-6

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電阻-基本(R1)

2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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