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BCR198WH6327XTSA1

BCR198WH6327XTSA1

僅供參考

型號 BCR198WH6327XTSA1
PNEDA編號 BCR198WH6327XTSA1
描述 TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,470
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCR198WH6327XTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCR198WH6327XTSA1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
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  • BCR198WH6327XTSA1 Distributor

BCR198WH6327XTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)47 kOhms
電阻-發射極基(R2)47 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
頻率-過渡190MHz
功率-最大250mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝PG-SOT323-3

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4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

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電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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