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BCR112E6327HTSA1

BCR112E6327HTSA1

僅供參考

型號 BCR112E6327HTSA1
PNEDA編號 BCR112E6327HTSA1
描述 TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 510,258
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 8 - 五月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCR112E6327HTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCR112E6327HTSA1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
BCR112E6327HTSA1, BCR112E6327HTSA1數據表 (總頁數: 8, 大小: 836.33 KB)
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BCR112E6327HTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)4.7 kOhms
電阻-發射極基(R2)4.7 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
頻率-過渡140MHz
功率-最大200mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3

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電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

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電阻-發射極基(R2)

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當前-集電極截止(最大值)

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制造商

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系列

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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