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BCR 133S H6444

BCR 133S H6444

僅供參考

型號 BCR 133S H6444
PNEDA編號 BCR-133S-H6444
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,042
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCR 133S H6444資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCR 133S H6444
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
BCR 133S H6444, BCR 133S H6444數據表 (總頁數: 11, 大小: 867.54 KB)
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  • BCR 133S H6444 Distributor

BCR 133S H6444規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10kOhms
電阻-發射極基(R2)10kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)-
頻率-過渡130MHz
功率-最大250mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-VSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝PG-SOT363-6

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電阻-基本(R1)

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電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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電阻-基本(R1)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

250mW

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