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BCR 116S H6727

BCR 116S H6727

僅供參考

型號 BCR 116S H6727
PNEDA編號 BCR-116S-H6727
描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,096
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 20 - 五月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCR 116S H6727資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCR 116S H6727
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
BCR 116S H6727, BCR 116S H6727數據表 (總頁數: 11, 大小: 867.81 KB)
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  • BCR 116S H6727 Distributor

BCR 116S H6727規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)4.7kOhms
電阻-發射極基(R2)47kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)-
頻率-過渡150MHz
功率-最大250mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-VSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝PG-SOT363-6

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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