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BCR 112L3 E6327

BCR 112L3 E6327

僅供參考

型號 BCR 112L3 E6327
PNEDA編號 BCR-112L3-E6327
描述 TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,294
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCR 112L3 E6327資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCR 112L3 E6327
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
BCR 112L3 E6327, BCR 112L3 E6327數據表 (總頁數: 9, 大小: 206.84 KB)
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BCR 112L3 E6327規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)4.7 kOhms
電阻-發射極基(R2)4.7 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
頻率-過渡140MHz
功率-最大250mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-101, SOT-883
供應商設備包裝PG-TSLP-3-4

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50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

39 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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22 kOhms

電阻-發射極基(R2)

22 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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