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BC639,112

BC639,112

僅供參考

型號 BC639,112
PNEDA編號 BC639-112
描述 TRANS NPN 80V 1A TO-92
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 2,754
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BC639資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BC639,112
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BC639, BC639數據表 (總頁數: 15, 大小: 153.66 KB)
PDFBC639數據表 封面
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BC639規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce63 @ 150mA, 2V
功率-最大830mW
頻率-過渡180MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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12V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

235mV @ 70mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 500mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

115MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 1.25mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 250mA, 1V

功率-最大

3W

頻率-過渡

-

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安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

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80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 1.6A, 8A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 4A, 2V

功率-最大

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