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BC337ZL1G

BC337ZL1G

僅供參考

型號 BC337ZL1G
PNEDA編號 BC337ZL1G
描述 TRANS NPN 45V 0.8A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,880
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 31 - 六月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BC337ZL1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BC337ZL1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BC337ZL1G, BC337ZL1G數據表 (總頁數: 5, 大小: 65.55 KB)
PDFBC338-25ZL1G數據表 封面
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BC337ZL1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)800mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic700mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)100nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 100mA, 1V
功率-最大625mW
頻率-過渡210MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

5V @ 3A, 8A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5 @ 5A, 5V

功率-最大

80W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

320mV @ 200mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

25nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 2A, 2V

功率-最大

3W

頻率-過渡

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

700mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

80mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 50mA, 2V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

5µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 1A, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

700mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 500mA, 1V

功率-最大

900mW

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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