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BC308A_J35Z

BC308A_J35Z

僅供參考

型號 BC308A_J35Z
PNEDA編號 BC308A_J35Z
描述 TRANS PNP 25V 0.1A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,508
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BC308A_J35Z資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BC308A_J35Z
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BC308A_J35Z, BC308A_J35Z數據表 (總頁數: 5, 大小: 44.59 KB)
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BC308A_J35Z規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)15nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 2mA, 5V
功率-最大500mW
頻率-過渡130MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

60MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

TO-92-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

140 @ 500mA, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

130MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 1mA, 6V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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