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BC307BBU

BC307BBU

僅供參考

型號 BC307BBU
PNEDA編號 BC307BBU
描述 TRANS PNP 45V 0.1A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,578
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BC307BBU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BC307BBU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BC307BBU, BC307BBU數據表 (總頁數: 5, 大小: 44.59 KB)
PDFBC308_J35Z數據表 封面
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BC307BBU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)15nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce180 @ 2mA, 5V
功率-最大500mW
頻率-過渡130MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 2mA, 6V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

140MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 2A, 2V

功率-最大

870mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.4V @ 1A, 4A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 1.5A, 2V

功率-最大

40W

頻率-過渡

2MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-225AA, TO-126-3

供應商設備包裝

TO-225AA

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制造商

STMicroelectronics

系列

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晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

84A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

450V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.35V @ 4A, 70A

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 70A, 5V

功率-最大

250W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

ISOTOP

供應商設備包裝

ISOTOP®

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10000 @ 100mA, 5V

功率-最大

225mW

頻率-過渡

125MHz

工作溫度

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安裝類型

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