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BC237B_J35Z

BC237B_J35Z

僅供參考

型號 BC237B_J35Z
PNEDA編號 BC237B_J35Z
描述 TRANS NPN 45V 0.1A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,120
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 24 - 七月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BC237B_J35Z資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BC237B_J35Z
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BC237B_J35Z, BC237B_J35Z數據表 (總頁數: 4, 大小: 45.69 KB)
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BC237B_J35Z規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)45V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic600mV @ 5mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)15nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce180 @ 2mA, 5V
功率-最大500mW
頻率-過渡250MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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制造商

ON Semiconductor

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 600mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 3A, 4V

功率-最大

1.75W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

5V @ 10A, 50A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 25A, 2V

功率-最大

300W

頻率-過渡

-

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20000 @ 100mA, 5V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

220MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

85 @ 500mA, 1V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

60MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

-

工作溫度

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