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BAS316/DG/B3,135

BAS316/DG/B3,135

僅供參考

型號 BAS316/DG/B3,135
PNEDA編號 BAS316-DG-B3-135
描述 DIODE GEN PURP 100V 250MA TO236
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 5,814
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 17 - 五月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BAS316/DG/B3資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BAS316/DG/B3,135
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
BAS316/DG/B3, BAS316/DG/B3數據表 (總頁數: 21, 大小: 768.3 KB)
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BAS316/DG/B3規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列Automotive, AEC-Q101, BAS16
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)250mA (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.25V @ 150mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)4ns
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 80V
電容@ Vr,F1.5pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝TO-236AB
工作溫度-結點150°C (Max)

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電流-平均整流(Io)

500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2V @ 40V

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 100V

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400V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

4000V

電流-平均整流(Io)

100mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

10V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 4000V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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