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ATSAM3S1BB-MUR

ATSAM3S1BB-MUR

僅供參考

型號 ATSAM3S1BB-MUR
PNEDA編號 ATSAM3S1BB-MUR
描述 IC MCU 32BIT 64KB FLASH 64QFN
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 7,308
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 16 - 六月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ATSAM3S1BB-MUR資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ATSAM3S1BB-MUR
類別半導體嵌入式處理器和控制器微控制器
數據表
ATSAM3S1BB-MUR, ATSAM3S1BB-MUR數據表 (總頁數: 60, 大小: 1,946.82 KB)
PDFATSAM3S1CB-CU數據表 封面
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ATSAM3S1BB-MUR規格

制造商Microchip Technology
系列SAM3S
核心處理器ARM® Cortex®-M3
核心大小32-Bit
速度64MHz
連接性I²C, MMC, SPI, SSC, UART/USART, USB
外圍設備Brown-out Detect/Reset, DMA, I²S, POR, PWM, WDT
I / O數量47
程序存儲器大小64KB (64K x 8)
程序存儲器類型FLASH
EEPROM大小-
RAM大小16K x 8
電壓-電源(Vcc / Vdd)1.62V ~ 3.6V
數據轉換器A/D 10x10/12b; D/A 2x12b
振蕩器類型Internal
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-VFQFN Exposed Pad
供應商設備包裝64-QFN (9x9)

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I / O數量

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程序存儲器大小

-

程序存儲器類型

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EEPROM大小

-

RAM大小

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電壓-電源(Vcc / Vdd)

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數據轉換器

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振蕩器類型

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EEPROM大小

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I / O數量

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程序存儲器大小

48KB (48K x 8)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

-

RAM大小

2K x 8

電壓-電源(Vcc / Vdd)

1.8V ~ 5.5V

數據轉換器

A/D 8x10b

振蕩器類型

Internal

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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連接性

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外圍設備

Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT

I / O數量

22

程序存儲器大小

14KB (8K x 14)

程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

256 x 8

RAM大小

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電壓-電源(Vcc / Vdd)

4V ~ 5.5V

數據轉換器

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振蕩器類型

External

工作溫度

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程序存儲器大小

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程序存儲器類型

FLASH

EEPROM大小

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