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ATP101-TL-H

ATP101-TL-H

僅供參考

型號 ATP101-TL-H
PNEDA編號 ATP101-TL-H
描述 MOSFET P-CH 30V 25A ATPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,976
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 15 - 七月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ATP101-TL-H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ATP101-TL-H
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
ATP101-TL-H, ATP101-TL-H數據表 (總頁數: 7, 大小: 337.42 KB)
PDFATP101-TL-H數據表 封面
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ATP101-TL-H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)25A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs30mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs18.5nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds875pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)30W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝ATPAK
包裝/箱ATPAK (2 leads+tab)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.9mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4780pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

230W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

490pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

570mW (Ta), 6.25W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

900V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.9Ohm @ 1.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1880pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

56W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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制造商

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-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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