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AS6C2008-55TIN

AS6C2008-55TIN

僅供參考

型號 AS6C2008-55TIN
PNEDA編號 AS6C2008-55TIN
描述 IC SRAM 2M PARALLEL 32TSOP I
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 6,714
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 3 - 五月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS6C2008-55TIN資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS6C2008-55TIN
類別半導體內存IC內存
數據表
AS6C2008-55TIN, AS6C2008-55TIN數據表 (總頁數: 13, 大小: 2,906.82 KB)
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AS6C2008-55TIN規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小2Mb (256K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供應商設備包裝32-TSOP I

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 2V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

S25FL032P0XMFA000

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

Automotive, AEC-Q100, FL-P

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

32Mb (4M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

5µs, 3ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

16-SOIC

AS4C32M16D1A-5TANTR

Alliance Memory, Inc.

制造商

Alliance Memory, Inc.

系列

Automotive, AEC-Q100

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - DDR

內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

電壓-供電

2.3V ~ 2.7V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM

內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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