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AS6C2008-55BINTR

AS6C2008-55BINTR

僅供參考

型號 AS6C2008-55BINTR
PNEDA編號 AS6C2008-55BINTR
描述 IC SRAM 2M PARALLEL 36TFBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 2,430
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 11 - 五月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS6C2008-55BINTR資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS6C2008-55BINTR
類別半導體內存IC內存
數據表
AS6C2008-55BINTR, AS6C2008-55BINTR數據表 (總頁數: 13, 大小: 2,906.82 KB)
PDFAS6C2008-55TIN數據表 封面
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AS6C2008-55BINTR規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式SRAM
技術SRAM - Asynchronous
內存大小2Mb (256K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁55ns
訪問時間55ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱36-TFBGA
供應商設備包裝36-TFBGA (6x8)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

10µs

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

48-TSOP

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

48-TSOP

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPSDR

內存大小

256Mb (8M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

7ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

90-VFBGA (8x13)

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-

內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.4V ~ 2.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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