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AS4C8M16S-7BCN

AS4C8M16S-7BCN

僅供參考

型號 AS4C8M16S-7BCN
PNEDA編號 AS4C8M16S-7BCN
描述 IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 6,390
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 17 - 七月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C8M16S-7BCN資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C8M16S-7BCN
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C8M16S-7BCN, AS4C8M16S-7BCN數據表 (總頁數: 55, 大小: 568.13 KB)
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AS4C8M16S-7BCN規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小128Mb (8M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率143MHz
寫周期-字,頁2ns
訪問時間5.4ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱54-TFBGA
供應商設備包裝54-TFBGA (8x8)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

28-SOP (0.350", 8.89mm Width) with SNAPHAT Sockets

供應商設備包裝

28-SOH

M24256-BRDW6P

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

I²C

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

450ns

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