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AS4C64M8D1-5BIN

AS4C64M8D1-5BIN

僅供參考

型號 AS4C64M8D1-5BIN
PNEDA編號 AS4C64M8D1-5BIN
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 6,030
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 23 - 七月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C64M8D1-5BIN資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C64M8D1-5BIN
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C64M8D1-5BIN, AS4C64M8D1-5BIN數據表 (總頁數: 65, 大小: 1,371.9 KB)
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AS4C64M8D1-5BIN規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小512Mb (64M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間700ps
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-TFBGA
供應商設備包裝60-FBGA (8x13)

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

200ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

100ns

訪問時間

100ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存格式

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技術

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內存大小

72Mb (4M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

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電壓-供電

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, DDR II+

內存大小

72Mb (2M x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

450MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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