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AS4C64M16D2B-25BCN

AS4C64M16D2B-25BCN

僅供參考

型號 AS4C64M16D2B-25BCN
PNEDA編號 AS4C64M16D2B-25BCN
描述 IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 6,300
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 4 - 五月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C64M16D2B-25BCN資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C64M16D2B-25BCN
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C64M16D2B-25BCN, AS4C64M16D2B-25BCN數據表 (總頁數: 69, 大小: 2,980.32 KB)
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AS4C64M16D2B-25BCN規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小1Gb (64M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率400MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間400ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度0°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱84-TFBGA
供應商設備包裝84-FBGA (8x12.5)

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

250ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-20°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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內存類型

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內存格式

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內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

60ns

訪問時間

120ns

電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存格式

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技術

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內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20µs

訪問時間

45ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

3ms

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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