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AS4C512M8D3-12BINTR

AS4C512M8D3-12BINTR

僅供參考

型號 AS4C512M8D3-12BINTR
PNEDA編號 AS4C512M8D3-12BINTR
描述 IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 3,672
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 7 - 六月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C512M8D3-12BINTR資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C512M8D3-12BINTR
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C512M8D3-12BINTR, AS4C512M8D3-12BINTR數據表 (總頁數: 84, 大小: 2,085.23 KB)
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AS4C512M8D3-12BINTR規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小4Gb (512M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間20ns
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度-40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-TFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (9x10.5)

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

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電壓-供電

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安裝類型

Surface Mount

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內存格式

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

8µs, 1.75ms

訪問時間

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電壓-供電

2.3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Alliance Memory, Inc.

制造商

Alliance Memory, Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR

內存大小

512Mb (32M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

700ps

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