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AS4C4M16S-6TCN

AS4C4M16S-6TCN

僅供參考

型號 AS4C4M16S-6TCN
PNEDA編號 AS4C4M16S-6TCN
描述 IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 6,444
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 13 - 五月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C4M16S-6TCN資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C4M16S-6TCN
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C4M16S-6TCN, AS4C4M16S-6TCN數據表 (總頁數: 53, 大小: 3,212.97 KB)
PDFAS4C4M16S-6TCN數據表 封面
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AS4C4M16S-6TCN規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小64Mb (4M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁2ns
訪問時間5.4ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝54-TSOP II

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

25ns

訪問時間

25ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

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制造商

Micron Technology Inc.

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

4Gb (256M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

933MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM - DDR3

內存大小

1Gb (64M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

667MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.425V ~ 1.575V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

96-TFBGA

供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NAND

內存大小

4Gb (4G x 1)

內存接口

SPI

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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內存類型

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內存格式

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內存接口

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時鐘頻率

100MHz

寫周期-字,頁

7µs, 3ms

訪問時間

-

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