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AS4C32M16D1-5BIN

AS4C32M16D1-5BIN

僅供參考

型號 AS4C32M16D1-5BIN
PNEDA編號 AS4C32M16D1-5BIN
描述 IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 8,196
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 21 - 七月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C32M16D1-5BIN資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C32M16D1-5BIN
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C32M16D1-5BIN, AS4C32M16D1-5BIN數據表 (總頁數: 63, 大小: 1,270.17 KB)
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AS4C32M16D1-5BIN規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR
內存大小512Mb (32M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間700ps
電壓-供電2.3V ~ 2.7V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱60-TFBGA
供應商設備包裝60-TFBGA (8x13)

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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