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AS4C256M8D3A-12BCNTR

AS4C256M8D3A-12BCNTR

僅供參考

型號 AS4C256M8D3A-12BCNTR
PNEDA編號 AS4C256M8D3A-12BCNTR
描述 IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 7,650
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 26 - 五月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C256M8D3A-12BCNTR資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C256M8D3A-12BCNTR
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C256M8D3A-12BCNTR, AS4C256M8D3A-12BCNTR數據表 (總頁數: 83, 大小: 1,973.63 KB)
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AS4C256M8D3A-12BCNTR規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR3
內存大小2Gb (256M x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率800MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間20ns
電壓-供電1.425V ~ 1.575V
工作溫度0°C ~ 90°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱78-VFBGA
供應商設備包裝78-FBGA (8x10.5)

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內存類型

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內存格式

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SDRAM - Mobile LPDDR3

內存大小

24Gb (768M x 32)

內存接口

-

時鐘頻率

933MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.2V

工作溫度

-30°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

168-WFBGA

供應商設備包裝

168-FBGA (12x12)

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

70ns

訪問時間

70ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFBGA

供應商設備包裝

48-TFBGA (6x8)

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

150ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

32-DIP (0.600", 15.24mm)

供應商設備包裝

32-PDIP

93C66CT-I/SN

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制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

4Kb (512 x 8, 256 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

3MHz

寫周期-字,頁

2ms

訪問時間

-

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

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內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

400ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 95°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

60-TFBGA

供應商設備包裝

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