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AS4C1M16S-6TIN

AS4C1M16S-6TIN

僅供參考

型號 AS4C1M16S-6TIN
PNEDA編號 AS4C1M16S-6TIN
描述 IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 7,596
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 17 - 五月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C1M16S-6TIN資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C1M16S-6TIN
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C1M16S-6TIN, AS4C1M16S-6TIN數據表 (總頁數: 54, 大小: 923.41 KB)
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AS4C1M16S-6TIN規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小16Mb (1M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁2ns
訪問時間5.4ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝50-TSOP II

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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技術

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內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.5ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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時鐘頻率

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訪問時間

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電壓-供電

1.65V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

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