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AS4C1M16S-6TCN

AS4C1M16S-6TCN

僅供參考

型號 AS4C1M16S-6TCN
PNEDA編號 AS4C1M16S-6TCN
描述 IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 7,812
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 25 - 七月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C1M16S-6TCN資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C1M16S-6TCN
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C1M16S-6TCN, AS4C1M16S-6TCN數據表 (總頁數: 54, 大小: 923.41 KB)
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AS4C1M16S-6TCN規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM
內存大小16Mb (1M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率166MHz
寫周期-字,頁2ns
訪問時間5.4ns
電壓-供電3V ~ 3.6V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
供應商設備包裝50-TSOP II

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

90ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TC)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

200MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

3.1ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

143MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

54-TSOP II

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

90ns

訪問時間

90ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

供應商設備包裝

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內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

200µs

訪問時間

200ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

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28-DIP (0.600", 15.24mm)

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