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AS4C16M16D2-25BIN

AS4C16M16D2-25BIN

僅供參考

型號 AS4C16M16D2-25BIN
PNEDA編號 AS4C16M16D2-25BIN
描述 IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA
制造商 Alliance Memory, Inc.
單價 請求報價
庫存 8,514
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 9 - 六月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

AS4C16M16D2-25BIN資源

品牌 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號AS4C16M16D2-25BIN
類別半導體內存IC內存
數據表
AS4C16M16D2-25BIN, AS4C16M16D2-25BIN數據表 (總頁數: 66, 大小: 4,679.13 KB)
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AS4C16M16D2-25BIN規格

制造商Alliance Memory, Inc.
系列-
內存類型Volatile
內存格式DRAM
技術SDRAM - DDR2
內存大小256Mb (16M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率400MHz
寫周期-字,頁15ns
訪問時間400ps
電壓-供電1.7V ~ 1.9V
工作溫度-40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱84-TFBGA
供應商設備包裝84-TFBGA (8x12.5)

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

128Mb (16M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

120MHz

寫周期-字,頁

30µs, 750µs

訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-SOIC (0.450", 11.40mm Width)

供應商設備包裝

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM

內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-VFBGA

供應商設備包裝

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

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內存大小

512Gb (64G x 8)

內存接口

MMC

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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