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APTM120H29FG

APTM120H29FG

僅供參考

型號 APTM120H29FG
PNEDA編號 APTM120H29FG
描述 MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,006
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM120H29FG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM120H29FG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTM120H29FG規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS 7®
FET類型4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極(Id)34A
Rds On(Max)@ Id,Vgs348mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs374nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds10300pF @ 25V
功率-最大780W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP6
供應商設備包裝SP6

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

300pF @ 15V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.8nC @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 15V, 1188pF @ 15V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

66mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

300pF @ 10V

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