APTM10DHM09T3G
僅供參考
| 型號 | APTM10DHM09T3G |
| PNEDA編號 | APTM10DHM09T3G |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3 |
| 制造商 | Microsemi |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 7,380 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 五月 15 - 五月 20 (選擇加急運輸) |
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APTM10DHM09T3G資源
| 品牌 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | APTM10DHM09T3G |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-陣列 |
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APTM10DHM09T3G規格
| 制造商 | Microsemi Corporation |
| 系列 | POWER MOS V® |
| FET類型 | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET功能 | Standard |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 100V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 139A |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 10mOhm @ 69.5A, 10V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 4V @ 2.5mA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 350nC @ 10V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 9875pF @ 25V |
| 功率-最大 | 390W |
| 工作溫度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Chassis Mount |
| 包裝/箱 | SP3 |
| 供應商設備包裝 | SP3 |
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