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APTGV50H60BG

APTGV50H60BG

僅供參考

型號 APTGV50H60BG
PNEDA編號 APTGV50H60BG
描述 IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,168
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 17 - 五月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGV50H60BG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGV50H60BG
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APTGV50H60BG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型NPT, Trench Field Stop
配置Boost Chopper, Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)80A
功率-最大176W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.9V @ 15V, 50A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce3.15nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP4
供應商設備包裝SP4

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.9V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1.3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

E3

供應商設備包裝

E3

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1200V

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 400A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

28nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

IGBT類型

NPT

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

230A

功率-最大

833W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

350µA

輸入電容(Cies)@ Vce

9nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP3

供應商設備包裝

SP3

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制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

-

配置

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

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NTC熱敏電阻

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

800µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.65nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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